인피니언, PQFN 3.3x3.3mm 패키지 OptiMOS Source-Down 25V 전력 MOSFET 출시

2020-02-12 10:08 출처: 인피니언 테크놀로지스

인피니언 테크놀로지스 PQFN 3x3 SDCG

서울--(뉴스와이어) 2020년 02월 12일 -- 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 새로운 산업 표준 패키지 콘셉트 ‘Source Down’을 적용한 첫 전력 MOSFET으로 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지 OptiMOS 25V 제품을 출시했다. 인피니언은 첨단 전력 관리 디자인의 과제를 해결하기 위해 부품 차원의 향상을 통한 시스템 혁신에 집중하고 있다.

MOSFET 성능에 있어서 업계에 새로운 기준을 제시하는 이 디바이스는 낮아진 온(on) 상태 저항(RDS(on))과 뛰어난 열 관리 능력을 제공하여 드라이브, SMPS(서버, 텔레콤, OR-ing), 배터리 관리 등 다양한 애플리케이션에 적합하다.

새로운 패키지 콘셉트는 드레인(drain) 전위 대신 소스(source) 전위를 열 패드로 연결한다. 이렇게 하면 새로운 PCB 레이아웃이 가능해지고 더 높은 전력 밀도와 성능 달성에 도움이 된다. Source-Down 표준 게이트와 Source-Down 중앙 게이트 두 가지 풋프린트 버전이 PQFN 3.3mm x 3.3mm 패키지로 제공된다. Source-Down 표준 게이트 풋프린트는 현행 PQFN 3.3mm x 3.3mm 핀아웃 구성을 사용한다. 전기 배선 위치가 동일하므로 표준 Drain-Down 패키지를 새로운 Source-Down 패키지로 바로 교체할 수 있다. 중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개 MOSFET을 손쉽게 병렬로 구성할 수 있다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓기 때문에 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트들을 연결할 수 있다. 또한 게이트를 중앙으로 옮김으로써 소스 면적이 넓어지고 디바이스의 전기적 연결을 향상시킨다.

이 기술 혁신으로 현행 기술 대비 RDS(on)을 30%까지 크게 낮출 수 있다. 접합부 대 케이스 열 저항(RthJC) 역시 현행 PQFN 패키지 대비 크게 향상된다. 기생성분을 낮추고 PCB 손실을 줄이고, 열 성능이 뛰어나므로 다양한 첨단 엔지니어링 디자인에 큰 이점을 제공한다.

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